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전기전자컴퓨터공학부

공지사항

홍성민 교수 연구팀, 한국반도체학술대회 최우수논문상 수상

작성자전기전자컴퓨터공학부  조회수347 Date2019-02-18
홍성민 교수-horz.jpg [129.1 KB]
190218_GIST 보도자료_홍성민 교수 연구팀, 한국반도체학술대회 최우수논문상 수상.pdf [198.4 KB]
190218_GIST 보도자료_홍성민 교수 연구팀, 한국반도체학술대회 최우수논문상 수상.hwp [154.5 KB] 190218_GIST 보도자료_홍성민 교수 연구팀, 한국반도체학술대회 최우수논문상 수상.hwp바로보기

GIST(지스트, 총장 문승현) 전기전자컴퓨터공학부 홍성민 교수 연구팀이 한국반도체학술대회 최우수 논문상을 수상했다.

올해로 26회째를 맞는 한국반도체학술대회는 국내 최대의 반도체 관련 학술대회213()부터 15()까지 강원도 횡성군 웰리힐리파크에서 DB하이텍과 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합이 공동 주관으로 개최되었다.

이번 대회는 사물인터넷 속 스마트 반도체와 4차 산업혁명(Smart Semiconductor in IoT and 4th Industrial Revolution)이라는 주제로 초청발표와 구두발표, 포스터발표 등 총 815편의 우수 논문이 발표되었다. 수상자에 대한 시상은 214()에 진행되었다.

홍성민 교수(교신저자)가 주도하고 석박사통합과정 박준성 학생(1저자)이 수행한 “First principles approach to analyze defect-induced multiphonon transition at the Si-SiO2 interface” 논문에서 연구팀은 실리콘-산화막 계면에 위치한 결함 상태가 가지는 홀 포획 단면의 크기를 제1원리 계산법을 통해 계산하였다.

홍성민 교수4차 산업혁명의 흐름 속에서의 최첨단 반도체 기술 트렌드에 대한 심도깊은 논의와 연구는 그 어느 때보다 중요하다면서 실리콘-산화막 계면의 결함 상태는 트랜지스터에서 일어나는 다양한 열화 문제의 원인이므로 1원리 계산법을 통해 결함 상태에 대해 잘 이해하는 것은 매우 의미있다고 말했다.

논문의 제1저자인 박준성 학생최근 활발하게 연구되고 있는 1원리 계산을 통한 결함 분석 방법론을 실리콘-산화막 계면에 대해 적용했던 것이 한국반도체학술대회의 관심 분야와 일치하여 큰 상을 수상하게 된 것 같다, “본 대회의 수상이 매우 뜻 깊고 영광이며, 앞으로 더욱 정진하겠다고 수상 소감을 말했다. <>

 

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